«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»
Прочитано: 81% |
Одним из первых примеров успешного построения параметрического ряда ИС была разработка номенклатуры приборов, обеспечивающих создание перспективных вычислительных комплексов: "Эльбрус", ЕС ЭВМ, СМ ЭВМ. Соглашение с их главными конструкторами: В.С. Бурцевым - директором ИТМ и ВТ Ларионовым А.М., а затем Пржиялковским В. В - директорами НИЦЭВТ, Наумовым Б Н. - директором ИНЭУМ - было достигнуто непросто, но оно позволило немедленно приступить к реализации этих решений на предприятиях МЭП. Этот удачный опыт полностью подтвердил правильность выработанного подхода и постепенно он стал распространяться на разработки систем других назначений.
Таким вот образом удалось тогда сдержать безудержный рост номенклатуры ИС и избежать "тирании количества", не дать ей утопить не очень ещё окрепшую микроэлектронику, и тем самым обеспечить выпуск современной аппаратуры на микросхемах.
Чтобы соответствовать уровню лучших достижений были начаты разработки нескольких наращиваемых рядов интегральных схем для радиосвязи, операционных усилителей, запоминающих устройств и многих других изделий, в каждом из которых было не менее полусотни типов ИС. Одни микросхемы обеспечивали очень высокое быстродействие, но при этом расходовали большую электрическую мощность, другие наоборот имели малое электропотребление, но обладали невысоким быстродействием. Были необходимы и схемы, обладающие средними параметрами. Так появились ИС серий 500, 100, 700, серии 155, 530, 531, 555, и другие, отличавшиеся технологиями. Прообразом для ряда быстродействующих схем серии 500 были взяты серии американских фирм Motorola, Texas Instruments и др.
Постоянной заботой А.И. было поддержание высокого уровня советской электроники, но если интегральные схемы малой и средней степени интеграции ещё можно было совершенствовать на традиционной базе, то переход к технологии БИС и СБИС требовал значительного увеличения капиталовложений на оснащение отрасли новым, всё более сложным и дорогим оборудованием для их производства и контроля качества. В интегральных схемах начала 70-х годов использовались линии шириной 20 мкм, к середине десятилетия геометрические размеры этих линий уменьшились вдвое, а к его концу вполне обычными для производства микросхем стали размеры 3 мкм, причём уже довольно легко было получать опытные образцы схем с линиями шириной 1 мкм. Увеличение плотности размещения элементов ИС потребовало применения оборудования с высокой разрешающей способностью для переноса конструкций схем на кремний. Сюда включалось и оптико-механическое оборудование, о разработке которого уже говорилось выше, и термическое, и вакуумно-напылительное, химической обработки: нанесение фоторезиста, травление, промывка и т.д., и такое оборудование было создано в МЭПе и выпускалось серийно.
Технология разработки фотошаблонов, которая стимулировала развитие всех литографических методов, настолько усложнилась, что стала невозможной без машинного проектирования. В системе анализа и разработки проектируемой топографии фотошаблона центральным элементом стал диалоговый видеотерминал, снабжённый световым пером для внесения изменений. ЭВМ делали всё, начиная от проверки логических уравнений и кончая распечаткой команд для установок по производству ИС. Машинное проектирование ИС становилось общепринятым методом. Если большие ЭВМ получали от МРП, то производство мини-компьютеров, необходимых и для проектирования и для управления производственными линиями, было налажено у себя, в шестом главке.
«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»
| ||||||||