«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»
Прочитано: 86% |
Этот опыт совместной работы специалистов двух министерств послужил основой для дальнейшего развития концепции программного планирования, которое вносило ясность и прогнозируемость долгосрочных путей развития микроэлектроники и уверенность в успешные перспективы построения важнейших систем и комплексов, и вскоре начался активный переход к разработке и реализации аппаратурно-ориентированных программ.
В сентябре 1977 года в Зеленограде состоялось межотраслевое совещание по обсуждению вопросов по разработке и применению микропроцессорных интегральных схем и унификации вычислительных средств на их основе. В совещании приняли участие все основные министерства в лице заместителей министров, главных конструкторов, руководителей крупных предприятий, ответственных работников ЦК КПСС и СМ СССР, и далеко не все из присутствовавших хорошо представляли себе выгоды, которая несла микроэлектроника, возможности отечественной науки и промышленности в этой области. Так, например, когда программа по созданию полупроводниковых БИС оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) с ёмкостью 4 килобита (кристалл содержит около 20000 транзисторов) докладывалась на заседании ВПК, то в повестке ей было отведено всего 15 минут, но только после дискуссии, занявшей два часа, в ходе которой до присутствовавших заместителя председателя СМ СССР Смирнова, министров и военных удалось донести, что эта БИС была эквивалентна по своим функциональным возможностям двум печатным платам размером 50х50 см, содержащим несколько тысяч ферритовых колец, и 250 гибридных ИС "Посол", были приняты решения по оказанию соответствующей поддержки развитию микроэлектроники.
А насколько такая поддержка была необходима и в каких объёмах, видно хотя бы из следующего. В одном только базовом процессе производства ОЗУ 4К использовалось 109 типов основного оборудования и 210 типов вспомогательного: диффузионное, напылительное, плазменное, эпитаксиального наращивания, окислительное, ионно-химическое, магнетронного распыления, фотолитографические линейки, функционального контроля логических схем, а также сборочное, контрольно-измерительное и испытательное и многое другое. Причём сроки разработки оборудования и его опытная эксплуатация должны были опережать начало производства ИС.
Одним из важнейших достижений в оснащении отрасли стало появление оборудования, основанного на новых физических принципах обработки, например, ионами различных веществ или лазерным излучением. Характерным в создании технологического оборудования с новыми принципами обработки было то, что многие его компоненты разрабатывались в самой электронной промышленности и находили здесь первое практическое применение.
Твердотельные и газовые лазеры, разработанные и выпускаемые предприятиями министерства широко применялись для подгонки номиналов резисторов, как дискретных, так и на микросхемах, для ретуши фотошаблонов, для разделения пластин ИС на кристаллы, для заварки корпусов ИС, в инструментальном хозяйстве и для многого другого. Оборудования лазерной обработки материалов выпускали в МЭПе едва ли не столько же, сколько во всём остальном мире (по осторожной оценке!).
«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»
| ||||||||