«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»

Прочитано: 80%

         В результате эффективной технической и экономической политики министерства, полупроводниковая промышленность, включая микроэлектронику, быстро превращалась в крупнейшее направление деятельности МЭП. В 1970 году в стране было выпущено 3,6 миллиона ИС 69-и серий: 30 серий было гибридными (толстопленочными и тонкоплёночными), 7 серий полупроводниковые по технологии "металл-окисел-полупроводник" (МОП), 32 серии - полупроводниковые на основе p-n перехода и с диэлектрической изоляцией. Для выпуска новых поколений черно-белых и цветных телевизоров и радиоприёмников была создана серия толстопленочных гибридных ИС (К-224). Разработкой и производством интегральных схем занимались уже около двадцати предприятий: НИИ, КБ, опытные и серийные заводы. На первые роли в развитии микроэлектроники с первых её шагов вышел Воронежский завод полупроводниковых приборов (ВЗПП, директор Гарденин Н.И., главный инженер Колесников В.Г.). В КБ этого завода в 1964 году началась активная работа по созданию ИС.
         Группа молодых специалистов (Никишин В.И., Толстых Б.Л., Удовик А.П., Петров Л.Н., Булгаков С.С., Завальский Ю.П., Хорошков Ю.И., Черников А.И., Горлов М.И.; многие из них стали потом крупными руководителями в электронной промышленности страны) в короткие сроки разработали образцы полупроводниковых ИС, которые к концу 1966 года были переданы в серийное производство. Разработка и организация массового производства на ВЗПП, а затем и на других заводах серии этих ИС, внесли большой вклад в развитие отрасли и сыграли огромную роль в создании важнейших оборонных комплексов страны.
         Довольно скоро в МЭПе определились с тем, что основными для отрасли должны стать твёрдые схемы на кремнии, а гибридную технологию постепенно стали сворачивать, оставляя это поле деятельности создателям аппаратуры. НИИ "Пульсар", НИИМЭ, Воронежское КБ разработали базовые маршруты планарной технологии для производства ИС и планарных транзисторов. По их техническому заданию НИИТМ (директор Савин В.В.), Минское Конструкторское бюро точного электронного машиностроения (КБТЭМ, директор И.М. Глазков), НИИ технологии и организации производства в Горьком (НИИТОП, директор А.Г. Салин), НИИ полупроводникового машиностроения в Воронеже (НИИПМ, директор Лаврентьев К.А.), НИИ "Электронстандарт" (директор И.Е. Гаген) разработали комплект технологического оборудования "Корунд", обеспечивающий массовый выпуск ИС и полупроводниковых приборов по планарной технологии.
         Планарная технология построена на многократном повторении фотолитографического процесса, в результате которого на кремниевой пластине создаются защищённые и незащищённые фоторезистом области. Последние подвергаются соответствующей технологической обработке, после которой вновь поступают на следующий цикл фотолитографии. При этом точности совмещения изображений в последующих циклах должны быть много меньше технологических минимальных размеров создаваемого на кремниевой пластине элемента. В 1968 году они составляли 8 мкм, а в 1970 - уже 2 мкм. Естественно, что оптико-механическое оборудование, в частности фотоштампы, установки совмещения и экспонирования пластин, обеспечивающее фотолитографические процессы с такой точностью, попадало под торговое эмбарго западных стран. Отечественные же оптики-механики из Министерства оборонной промышленности (ГОИ и ЛОМО) под любыми предлогами отказывались от разработки нужных систем.

«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»