«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»

Прочитано: 61%

         Еще одним предприятием, созданным в ГКЭТ для развития квантовой электроники в 1962 году, был НИИ приборостроения (впоследствии НИИ "Полюс"). Установки на конечный результат и быстрое внедрение научных идей в практику, которые неустанно прививал учёным и специалистам нового направления А.И., привели к созданию здесь уже в конце 1963 года, на временных площадях, макета первой лазерной технологической установки на основе рубина и проведению с её помощью технологических поисков. Через год была изготовлена первая партия установок и передана в различные учреждения и на предприятия для изучения возможных областей использования лазерной обработки материалов.
         В развитии квантовой электроники ярко проявилась характерная для А.И. собственная инициативность и поддержка других инициативных людей. Вообще-то ответственность за создание кристаллов для твердотельных лазеров была возложена на химиков, а твердотельных лазеров - на оборонщиков, однако созданная в ГКЭТ мощная технологическая база по материалам и специальному оборудованию, позволили без особых капитальных вложений на создание новой инфраструктуры достигнуть быстрых успехов и по твердотельными лазерами. Требования к качеству рубина в этом случае были намного выше, чем для мазеров, но в 1961 году в ГКЭТ первые лазерные элементы были изготовлены. Пока основная часть кристаллов рубина производилась классическим методом Вернейля (кристаллизацией мелкодисперсного порошка в газовом пламени), так же как для мазеров или часовых камней, но все основные стадии процесса претерпели существенные изменения. Были созданы новые типы кристаллизаторов, усовершенствованы методы производства исходного порошка (пудры) и др. Всё это дало возможность получать кристаллы рубина высокого качества, позволившие создать лазеры с высокой эффективностью (к.п.д. до 1,2-4%). Технология и оборудование были отработаны до такого уровня, что через несколько лет машиностроителями МЭПа для Кировоканского завода Минхимпрома в Армении было разработано и изготовлено несколько единиц высокопроизводительных автоматических линий для выращивания часовых и ювелирных рубинов, годовой выпуск которых измерялся центнерами.
         Помимо рубина и рутила были разработаны методы выращивания кристаллов молибдатов стронция и кальция, двойного молибдата лантана натрия, активированных неодимом для лазеров с низким порогом генерации. Наконец, в 1965 году была разработана технология выращивания кристаллов алюмоиттриевого граната с примесью неодима - материала для твердотельных лазеров непрерывного действия.
         Другим классом специальных материалов для квантовой электроники являются нелинейные и электрооптические кристаллы для преобразования частоты и управления пучком лазеров: КДП, ДКДП, АДП др., выращиваемые из водных растворов. Их первые образца на предприятиях ГКЭТ были получены в 1962 году. Были разработаны методы получения крупных образцов указанных кристаллов с высокой оптической однородностью, создана новая автоматическая аппаратура для выращивания водно-растворимых кристаллов, например универсальный кристаллизатор с программным отбором конденсата, с помощью которого вырастили монокристаллы высокой оптической однородности весом до 1,5 кг. В результате в нелинейной оптике были получены рекордные данные, в частности по генерации высших гармоник, и создан перестраиваемый параметрический оптического генератора на кристалле КДП.

«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»