«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»

Прочитано: 59%

         Состав предприятий Научного центра по замыслу должен был охватывать все аспекты микроэлектроники, весь цикл "исследование - производства". Первыми в 1962 году были созданы системное предприятие НИИ микроприборов с заводом "Компонент" (НИИМП, директор И.Н. Букреев) и институт по разработке спецтехнологического оборудования (в основном термического) НИИ точного машиностроения (НИИТМ директор Е.Х. Иванов) с заводом электронного машиностроения "Элион". Немедленно было развёрнуто их строительство, но не дожидаясь появления новых зданий, на временных площадях, предприятия развернули работу, и через несколько месяцев, в мае 1963 года, в НИИТМ уже были созданы первые образцы вакуумного напылительного оборудования.
         В июне 1963 года были организованы НИИ точной технологии, предназначенный для разработки интегральных схем по гибридной технологии с заводом "Ангстрем" (НИИТТ, директор В.С. Сергеев), НИИ материаловедения (НИИМВ, директор А.Ю. Малинин) с заводом "Элма" (электронные материалы) основным направлением работ которых были материалы для микроэлектроники. К концу 1963 года завершилось строительство первой очереди производственного корпуса завода "Элион", а в следующем году было создано первое предприятие по созданию монолитных интегральных схем НИИ молекулярной электроники (НИИ МЭ) с заводом "Микрон". Для работы с потребителями было предусмотрено Центральное бюро применений интегральных схем (ЦБПИМС), а поисковыми исследованиями должен был заниматься НИИ физических проблем. 28 декабря 1963 года А.И. подписал приказ об организации дирекции Центра Микроэлектроники (ДНЦ) и утвердил её структуру.
         Очень сложно для А.И. было убедить борцов за экономию в строительстве, что на предприятиях полупроводниковой промышленности внутренние стены должны быть облицованы непременно мрамором (на нём не оседает пыль), что применять конструкции из чёрных металлов по тем же требованиям вакуумной гигиены нельзя, что применением дорогой гранитной облицовки ступеней наружных лестниц и цоколей, не требующих ежегодного ремонта, достигается большая экономия при эксплуатации и т.д. и т.п. По многим совершенно очевидным для А.И., да и любого грамотного человека с государственным подходом вещам приходилось преодолевать сопротивление легионов безответственных чиновников, не пройдя которых нельзя было добраться до лица, способного принять нужное решение. Одним из рабочих моментов создания Зеленограда был визит туда летом 1964 года секретаря МГК КПСС Н.Г. Егорычева и председателя Исполкома Моссовета В.Ф. Промыслова, под чьей эгидой работало специально образованное Управление "Зеленоградстрой".
         В 1965 году на предприятиях Центра микроэлектроники уже было введено в строй 60 тысяч квадратных метров площадей, работало несколько тысяч человек, усилиями которых была разработана и внедрена технология современных для того периода гибридных микросхем и начато их производство во введённых в строй корпусах завода "Ангстрем" - первого в стране специализированного завода по производству микросхем. По разработанной технологии был создан участок по производству планарных транзисторов "Плоскость", взятых из работы НИИ-35. В 1966 году сдали в эксплуатацию здание НИИМЭ, а его разработчиками были созданы технологии и начат выпуск первых серий полупроводниковых микросхем "Иртыш" (дифференциальная пара транзисторов), "Логика" (диодно-транзисторная логика - ДТЛ), "Микроватт" (резисторно-тразисторная логика - РТЛ).

«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»