«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»

Прочитано: 42%

         В короткий срок полупроводниковые приборы начали всё заметнее теснить приёмо-усилительные лампы. Нужно было ещё раз начинать создание новой промышленности.
         В нашей стране исследования полупроводниковых детекторов в интересах радиолокации были начаты в ЦНИИ-108. Чтобы обеспечить качественное и количественное развитие полупроводниковой электроники, необходимо было привлечь к участию организации АН СССР, где трудами А.Ф. Иоффе и его школы в конце сороковых годов были достигнуты успехи в физике и теории полупроводников, министерства цветной металлургии, химической промышленности и др. и координировать их совместную работу. Началось развитие промышленности по производству редких и редкоземельных металлов, полупроводниковых материалов. Головным предприятием в этой области был институт Гиредмет Минцветмета, чьим научным руководителем почти тридцать лет был Н.П. Сажин. Многим отечественная электроника обязана Гиредмету. С этим институтом связано решение таких проблем электроники, как освоение производства монокристаллов германия, создание методов переработки сурьмяных и висмутовых руд, производство титана, циркония и ниобия, применение в производстве редких металлов электроннолучевой плазменной плавки. Большой вклад в разработку технологии получения и в освоение производства полупроводниковых материалов Физико-технический институт и ИРЭ Академии Наук.
         В ЦНИИ-108 также велись исследования в области усиления сигнала в полупроводниковых устройств, но, к сожалению, наблюдавшийся С.Г. Калашниковым и Н.А. Пениным эффект не получил должного объяснения, открытие не состоялось, и первый в нашей стране образец точечного германиевого транзистора был создан в 1949 году.
         Для решения задач быстрейшего освоения и внедрения в промышленность технологии полупроводниковых приборов, разработки соответствующего оборудования и т.д. в 1953 году в Москве был создан НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35, нынешний НИИ "Пульсар"), где в лаборатории А.В. Красилова были изготовлены первые в СССР плоскостные транзисторы, ставшие основой для серийных приборов типа П1, П2, ПЗ и их дальнейших модификаций. Работы этой лаборатории создали базу для дальнейшего развития транзисторной технологии в институте.
         Транзисторное направление в НИИ-35, возглавляемое Я. А. Федотовым какое-то время продолжало интенсивно развиваться и в лаборатории С.Г. Калашникова в ЦНИИ-108. Оба института активно сотрудничали, в частности в решении проблемы повышения выходной мощности и рабочих частот транзисторов, и в результате родилась идея нового технологического процесса "сплавления-диффузии", на основе которой появились серийные транзисторы П401-П403 и П410, П411. Но в 1953 году А.И. Берг создал в системе Академии Наук СССР новый Институт радиоэлектроники, который сам же и возглавил и куда перешли сотрудники, занимавшиеся полупроводниковыми проблемами, а в ЦНИИ-108 это направление было свёрнуто - нужно было сосредоточиться на комплексных проблемах.

«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»